代理產(chǎn)品  Product 思瑞浦(3PEAK) 32位ARM@v8M 信號(hào)調(diào)節(jié) 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片 模擬開(kāi)關(guān) 接口芯片 電源管理 音頻和視頻 珠海博雅(BOYA) SPI NOR FLASH 川土微(Chipanalog) 集成隔離電源的隔離器芯片 隔離CAN和隔離IIC 隔離485芯片 八通道隔離器芯片 六通道隔離器芯片 五通道隔離器芯片 四通道隔離器芯片 三通道隔離器芯片 雙通道隔離器芯片 單通道隔離器芯片 芯海(Chipsea) 電能計(jì)量AD芯片 衡器AD芯片 SOC Cortex-M0 AFE-智能稱重 AFE-PPG測(cè)量 壓力觸控 AFE-體脂測(cè)量 MCU 富士通(Fujitsu) 熱敏打印機(jī)芯 FeRAM鐵電存儲(chǔ)器 ARM/MCU 繼電器 電源管理芯片 機(jī)頂盒芯片 鎖相環(huán)芯片 ReRAM GaN功率器件 高通(Genitop) 標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)陣字庫(kù)芯片 鉅泉光電(HiTrend) 單相電能計(jì)量芯片 三相電能計(jì)量芯片 M0內(nèi)核單相電能計(jì)量SoC 51內(nèi)核單相電能計(jì)量SoC 高性能多功能MCU 電力線載波 IC 小華半導(dǎo)體(XHSC) 通用MCU 低功耗MCU 領(lǐng)慧立芯 集成高精度ADC SOC 高精度Δ-Σ ADC 高精度SAR ADC 集成ECG/EEG AFE 高精度基準(zhǔn)源 曠岳(KEYSEMI) NFC 電能計(jì)量芯片 ADC RTC 馬達(dá)驅(qū)動(dòng) RS232 RS485 WIZnet 串口轉(zhuǎn)以太網(wǎng) 以太網(wǎng)接口芯片 揚(yáng)賀揚(yáng)(HeYangTek) Nand Flash 海芯(AVIA) 衡器AD芯片 觸摸控制芯片 敏源傳感 電容調(diào)理芯片 電化學(xué)調(diào)理芯片 多路數(shù)字高溫芯片 數(shù)字溫度芯片 傳感模組選型指南 安全監(jiān)測(cè)類傳感器 勝金微 漏電檢測(cè)芯片 精工SII(Seiko) LTP Series系列 MTP Series系列 STP Series系列 CAP Series系列 億存芯 SPI接口 IIC接口 兆訊恒達(dá)(MEGAHUNT) NFC非接讀卡芯片 M3 MCU 大普通信(DAPU) RTC時(shí)鐘芯片 云聯(lián)半導(dǎo)體(YUN LINK) 芯動(dòng)神州(SINOXTECH) 多通道DAC數(shù)模芯片 SAR型ADC模數(shù)芯片 Δ-Σ型ADC模數(shù)芯片 英彼森半導(dǎo)體(INBISEN) 寬帶載波芯片驅(qū)動(dòng)器 線驅(qū)功率放大器 高性能線性穩(wěn)壓器（LDO） 精密運(yùn)算放大器 高性能模擬前端（AFE） 芯龍半導(dǎo)體(XLSEMI) DC-DC同步整流電源芯片 DC-DC電源管理芯片 奧倫德(ORIENT) IGBT 晶體管 可控硅 高速光耦 禾潤(rùn)電子(HEROIC) 馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 其他產(chǎn)品  Product MAXIM 安全加密芯片 通信接口芯片 時(shí)鐘芯片 模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)字溫度傳感器 Cirrus Logic 衡器測(cè)量AD芯片 電能計(jì)量AD芯片 DA轉(zhuǎn)換芯片 運(yùn)算放大器 ARM系列 Mstar 導(dǎo)航定位模塊 移遠(yuǎn)通信 4G無(wú)線模塊 3G無(wú)線模塊 GSM/2G無(wú)線模塊 瑞科慧聯(lián) 視頻 WI-FI模塊 SDIO WI-FI模塊 SPI WI-FI模塊 UART WI-FI模塊 Spansion ARM/MCU 鎖相環(huán)芯片 機(jī)頂盒芯片 電源管理芯片 萬(wàn)康無(wú)線 遠(yuǎn)距離無(wú)線模塊 超低功耗無(wú)線模塊 ON Semi CANBUS收發(fā)器芯片 讀卡器接口芯片 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 Zywyn RS232接口芯片 RS485接口芯片 Sanyo 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 北斗導(dǎo)航 暫停產(chǎn)品線

GaN功率器件 MB51T008A                                                                                點(diǎn)此索要資料和樣品>> 漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 150V 柵極閾值電壓 VGS(th) 1.8V 漏源通態(tài)電阻 RDS(on) 13mΩ 總柵極電荷 Qg 16nC 封裝 WLCSP 【回到頂部】【返回上一頁(yè)】